[发明专利]GaN增强型器件制备方法及形成的GaN增强型器件

摘要

本发明提供一种GaN增强型器件制备方法及形成的GaN增强型器件，GaN增强型器件制备方法采用在含有P型GaN的外延片上采用与CMOS工艺相兼容的工艺形成栅极、源极及漏极。该GaN增强型器件制备工艺与CMOS工艺相兼容，从而可以实现大批量，低成本的增强型电力电子开关器件生产与制备。

主权项

1.一种GaN增强型器件制备方法，其特征在于，包括：在含有P型GaN的外延片上溅射栅极金属；对溅射有栅极金属的含有P型GaN的外延片的栅极金属层及P型GaN层进行光学光刻，形成栅极；在形成有栅极的P型GaN的外延片上沉积形成第一钝化层；对所述第一钝化层及所述第一钝化层之下的所述外延片的AlGaN层进行光学光刻，形成第一源极沉积区及第一漏极沉积区；在所述第一源极沉积区及第一漏极沉积区沉积金属，形成欧姆接触沉积层；沉积形成第二钝化层；对所述欧姆接触沉积层之上的所述第二钝化层进行光学光刻，形成第二源极沉积区及第二漏极沉积区；在所述第二源极沉积区及第二漏极沉积区沉积过渡金属层；沉积形成第三钝化层；对所述过渡金属层之上的所述第三钝化层进行光学光刻，形成第三源极沉积区及第三漏极沉积区；在所述第三源极沉积区及第三漏极沉积区沉积源极连接电极金属及漏极连接电极金属；沉积形成第四钝化层，形成GaN增强型器件。