[发明专利]增光型CSP标准LED封装工艺及其制作方法有效
| 申请号： | 201610561881.3 | 申请日： | 2016-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN106025049B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张万功;尹梓伟 | 申请（专利权）人： | 东莞中之光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/54 | 分类号： | H01L33/54;H01L33/50 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种增光型CSP标准LED封装工艺，包括LED芯片，LED芯片的上平面和四个侧面均包裹有一层荧光胶层，荧光胶层位于LED芯片的底部边缘位置设有水平向内弯折的挡块。本发明采用的增光型CSP标准LED封装工艺可以从五个面发光，发光面有上发光面和四个侧发光面，不需要在四个侧面重新设置LED灯珠，本产品的这种多面发光结构，可以大幅度的提升LED灯的光照范围。有效解决现有LED灯珠光照范围窄，组装结构复杂的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 增光 csp 标准 led 封装 工艺 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种增光型CSP标准LED封装结构，包括LED芯片，其特征在于，所述LED芯片的上平面和四个侧面均包裹有一层荧光胶层，所述荧光胶层位于所述LED芯片的底部边缘位置设有水平向内弯折的挡块；所述荧光胶层是有AB胶构件和荧光粉构件组成；所述LED芯片包括蓝宝石层、肖特基结层、多量子阱层和欧姆接触电极层，所述肖特基结层在所述蓝宝石层和多量子阱层之间，所述多量子阱层位于肖特基结层与欧姆接触电极层之间，所述欧姆接触电极层的底部设有P电极，所述P电极的底部设有第一凸点，所述蓝宝石层和所述肖特基结层的一侧底部设有一缺口，在所述缺口处设有N电极，所述N电极的底部设有第二凸点。
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