[发明专利]一种CMP模型参数优化方法和装置在审
| 申请号： | 201610561883.2 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN107633103A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 徐勤志;陈岚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开一种CMP模型参数优化方法和装置。该方法首先确定CMP模型的待优化参数，进而基于该CMP模型预测研磨芯片的芯片参数，得到芯片预测参数并获取与芯片预测参数对应的实测参数，从而确定PMO优化算法的目标函数，以基于该目标函数，按照PMO优化算法对所述CMP型中的待优化参数进行优化，得到所述CMP模型的优化参数。与现有技术相比，本发明基于研磨芯片的预测参数和实测参数，利用PMO优化算法对CMP模型的待优化参数进行优化，无需基于历史数据进行查找，提高了模型参数的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmp 模型 参数 优化 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种CMP模型参数优化方法，其特征在于，包括：建立CMP模型，确定所述CMP模型的待优化参数；基于所述CMP模型预测研磨芯片的芯片参数，得到芯片预测参数；获取研磨芯片的芯片实测参数，其中所述芯片预测参数与所述芯片实测参数对应；基于所述芯片实测参数和所述芯片预测参数，确定PMO优化算法的目标函数；基于所述目标函数，按照PMO优化算法对所述CMO模型中的待优化参数进行优化，得到所述CMP模型的优化参数。
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