[发明专利]处理银纳米线的方法以及银纳米线有效
| 申请号： | 201610562026.4 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN106238718A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 曾西平;邱志光;温维佳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华科创智技术有限公司 |
| 主分类号： | B22F1/00 | 分类号： | B22F1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 李志东 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山科技*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了处理银纳米线的方法。该方法包括：在存在保护剂的条件下，使含有所述银纳米线的溶液与卤化银溶解剂接触，以便去除卤化银。由此，可以便捷有效地除去银纳米线产品中的杂质颗粒，从而可以提高银纳米线的电学、力学以及光学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 纳米 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种处理银纳米线的方法，其特征在于，包括：在存在保护剂的条件下，使含有所述银纳米线的溶液与卤化银溶解剂接触，以便去除卤化银。
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