[发明专利]一种高迁移率晶体管的制作方法

摘要

本发明公开了一种高迁移率晶体管（HEMT）的制作方法，属于微电子技术领域，涉及半导体器件制作，该方法采用了化学机械抛光的方式将假栅去除，然后制备侧墙，降低沟道长度的同时实现栅的自对准，可以生产出一种短沟道及低源漏电阻的高迁移率晶体管（HEMT），可以进一步提高高迁移率晶体管（HEMT）的频率和特性，并且制作方法简单易行。

主权项

一种高迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在异质结基衬底上生长自停止层，所述异质结基衬底中有一层二维电子气层；步骤2：在自停止层上进行假栅的制作，所述假栅将所述自停止层的上表面分隔成两边，形成源漏区；步骤3：对源漏区进行刻蚀，刻蚀深度超过所述二维电子气层的深度；步骤4：对刻蚀后的源漏区进行重掺杂材料外延再生长，形成再生长区，再生长区的厚度大于步骤3刻蚀的深度；步骤5：在再生长区上进行源漏金属层的生长及图形化，形成带有源漏金属层的第一基底；步骤6：在步骤5得到的第一基底的上表面生长第一介质层，第一介质层覆盖第一基底的整个上表面，形成带有第一介质层的第一基底；步骤7：对步骤6得到的第一基底的上面部分进行去除处理，去除处理后使得第一基底露出假栅的上表面，并且剩余的第一介质层的上表面与假栅上表面高度齐平；步骤8：刻蚀去除假栅，形成带有栅窗口的第二基底；步骤9：在所述第二基底的上表面生长第二介质层，所述第二介质层在所述栅窗口处形成凹槽；步骤10：通过各向异性刻蚀处理第二介质层，露出第一介质层的上表面，在栅窗口处的凹槽位置形成带有侧墙结构的沟道，沟道底部露出所述自停止层，所述侧墙结构是剩余的第二介质层构成的，侧墙结构在所述沟道的内侧；步骤11：对沟道的底部露出的自停止层进行刻蚀，沟道的底部露出所述异质结基衬底；步骤12：在步骤11刻蚀后的沟道中制作金属栅，所述金属栅填满所述沟道，金属栅的底部与沟道底部露出的异质结基衬底形成肖特基接触；步骤13：对步骤12完成后的基底进行刻蚀处理，刻蚀去除第一介质层和侧墙结构，释放金属栅，完成高迁移率晶体管的制作。