[发明专利]一种FinFET器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610562270.0 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN107622948B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王彦;张城龙;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种FinFET器件及制备方法、电子装置。所述方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有种子层；在所述半导体衬底和所述种子层上多次交替的形成半导体材料层和具有开口的氧化物层，所述半导体材料层填充其下方的所述氧化物层中的所述开口，其中所述开口与所述种子层对齐；在所述开口中形成蚀刻催化剂层；以所述催化剂层为辅助执行化学蚀刻，去除所述催化剂层下方的所述半导体材料层，以形成插入氧化物层型鳍片。所述方法可以保证所述更大高宽比(High‑aspect‑ratio)的I‑FinFET器件免受损坏，使制备得到的I‑FinFET器件中的插入氧化物层鳍片具有良好的轮廓，从而提高了所述半导体器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种FinFET器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有种子层；在所述半导体衬底和所述种子层上多次交替的形成半导体材料层和具有开口的氧化物层，所述半导体材料层填充其下方的所述氧化物层中的所述开口，其中所述开口与所述种子层对齐；在所述开口中形成蚀刻催化剂层；以所述催化剂层为辅助执行化学蚀刻，去除所述催化剂层下方的所述半导体材料层，以形成插入氧化物层型鳍片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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