[发明专利]一种载流子存储型槽栅IGBT在审
| 申请号： | 201610563026.6 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN106356400A | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;阮新亮;吴俊峰;周坤;邓高强;孙涛 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，涉及一种载流子存储型槽栅IGBT。本发明提供一种具有分裂栅及深槽结构的载流子存储型IGBT，器件关态时，采用深槽辅助耗尽器件的载流子存储层并调节发射极一侧的电场，同时深槽与两分裂栅构成阶梯状结构，削弱发射极的电场峰值，从而显著提升器件在较高的载流子存储层浓度下的耐压能力。此外，器件开态时，深槽结构8表面还能积累一层载流子，进一步降低器件的导通压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 载流子 存储 型槽栅 igbt | ||
【主权项】：
一种载流子存储型槽栅IGBT，包括P+集电极区(1)、位于P+集电极区(1)上表面的N型漂移区(2)、位于N型漂移区(2)上表面的槽栅结构(3)和发射极有源区；所述槽栅结构(3)和发射极有源区交替排列于N型漂移区(2)上表面；所述发射极有源区包括从下至上依次层叠设置的N型存储层(4)、P型体区(5)和发射极掺杂区，所述N型存储层(4)的下表面与N型漂移区(2)连接，且N型存储层(4)的底面高于槽栅结构(3)的槽深；所述发射极掺杂区由P+区(7)及位于P+区(7)两侧的N+区(6)构成，其特征在于，还包括深槽结构(8)，所述深槽结构(8)由位于槽壁的介质层及被介质层所包围的导电材料构成，所述深槽结构(8)沿槽栅结构(3)的上表面垂直向下贯穿整个槽栅结构(3)并延伸入N型漂移区(2)中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610563026.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
