[发明专利]低硫酸根残留浓度的光掩模清洗工艺

摘要

本发明涉及光掩模清洗工艺技术领域，更具体地说，涉及一种低硫酸根残留浓度的光掩模清洗工艺，该工艺包括：SPM溶液清洗、一次冷水清洗、一次热水清洗、一次SC1溶液加兆声清洗、加热扩散、紫外光照射、二次热水清洗、二次SC1溶液加兆声清洗、二次冷水清洗和光掩模甩干。采用本发明的低硫酸根残留浓度的光掩模清洗工艺可将硫酸根离子浓度降到1ppb以下，可有效提高高端光掩模的使用寿命，工艺操作简单，方便实用，适宜进一步推广应用。

主权项

1.一种低硫酸根残留浓度的光掩模清洗工艺，其特征是：该清洗工艺包括如下步骤：(1)SPM溶液清洗采用SPM溶液对光掩模表面进行总清洗；所述SPM溶液为H₂SO₄和H₂O₂按体积比20:1～1:1混合形成的混合溶液，H₂SO₄质量分数为98％，H₂O₂质量分数为30％；(2)一次冷水清洗常温条件下，采用冷水对光掩模进行喷淋清洗，冷水流量为2.0‑2.5L/min，喷淋时间为2‑3min；(3)一次热水清洗采用60‑80℃热水对光掩模进行喷淋清洗，热水流量为1‑1.5L/min，喷淋时间为5‑10min；(4)一次SC1溶液加兆声清洗常温条件下，采用SC1溶液加兆声对光掩模进行喷淋清洗，其中，兆声能量设置为50％‑75％，SC1溶液电导率为1000‑2000μS/cm的氨水和双氧水混合液；(5)加热扩散将光掩模在密闭空间的N₂氛围中进行加热，加热温度为80‑160℃，加热时间为10min；(6)紫外光照射将光掩模在加热到设定的温度后进行紫外光连续照射1‑10min；光掩模在照射紫外光的同时，在步骤(5)设定温度范围内进行持续加热；紫外光照射结束同时加热也结束；(7)二次热水清洗采用60‑80℃热水对光掩模进行喷淋清洗，热水流量为1‑1.5L/min，喷淋时间为5‑10min；(8)二次SC1溶液加兆声清洗常温条件下，采用SC1溶液加兆声对光掩模进行喷淋清洗，其中，兆声能量设置为50‑75％，SC1溶液电导率为1000‑2000μS/cm的氨水和双氧水混合液；(9)二次冷水清洗常温条件下，采用冷水对光掩模进行喷淋清洗，冷水流量为2.0‑2.5L/min，喷淋时间为2‑3min；(10)光掩模甩干室温条件下，以900‑1200转/min的速度将光掩模甩干。