[发明专利]电容结构及其制备方法、可调节谐振波段的红外探测器有效
| 申请号： | 201610564507.9 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN106129048B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭;周炜捷;袁超 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L31/09 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;尹英 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电容结构及其制备方法、可调节谐振波段的红外探测器，包括：位于硅衬底上的底部电极层，作为上电极层的引出极；在底部电极层的边缘区域上具有第一导电结构；位于底部电极层上方且与底部电极层之间具有间距的下电极层；与下电极层相接触的第二导电结构，第二导电结构作为下电极层的引出极；位于下电极层上方的上电极层，上电极层的边缘区域具有支撑结构，上电极层与下电极层之间形成有一空腔；支撑结构与第一导电结构相接触；其中，在向上电极层和下电极层施加电压时，上电极层和底部电极层共同构成下电极层的屏蔽结构。本发明的电容结构对周围电路的不产生影响，扩大了应用范围，还实现了红外探测器对不同谐振波段的可选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 结构 及其 制备 方法 调节 谐振 波段 红外探测器 | ||
【主权项】：
1.一种集成于硅衬底上的电容结构，其特征在于，包括：底部电极层，位于硅衬底上，作为上电极层的引出极；在底部电极层的边缘区域上具有第一导电结构；下电极层，位于底部电极层上方，且与底部电极层之间具有间距；第二导电结构，与下电极层相接触，第二导电结构作为下电极层的引出极；上电极层，位于下电极层上方，上电极层的边缘区域具有支撑结构，从而使得上电极层与下电极层之间形成一空腔；支撑结构与第一导电结构相接触；其中，在向上电极层和下电极层施加电压时，上电极层和底部电极层共同构成下电极层的屏蔽结构。
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