[发明专利]一种离子注入方法在审

专利信息
申请号: 201610564791.X 申请日: 2016-07-18
公开(公告)号: CN106128945A 公开(公告)日: 2016-11-16
发明(设计)人: 龟井诚司 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H01L21/265 分类号: H01L21/265
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;张磊
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种离子注入方法,通过将经离子注入的绝缘层部分或全部去除,再在去除绝缘层的位置生成一层新绝缘层,从而减少绝缘层中的金属杂质对后续工艺所形成的结构的污染,使得绝缘层具有良好的电气绝缘性;并且,避免了离子中所形成的金属杂质进入绝缘层进而向周围扩散,造成离子注入区域和其它结构的污染,提高了半导体衬底的清洁度,进一步提高了半导体器件的性能。
搜索关键词: 一种 离子 注入 方法
【主权项】:
一种离子注入方法,其特征在于,包括:步骤01:提供一半导体衬底,并且在半导体衬底表面形成绝缘层;步骤02:在所述绝缘层上涂覆光刻胶,经光刻,在光刻胶中刻蚀出开口,开口底部暴露出绝缘层表面;步骤03:以光刻胶为掩膜,通过光刻胶的开口向绝缘层和半导体衬底中进行离子注入,从而在开口下方的绝缘层中形成缺陷区域,以及对应于开口下方的半导体衬底中形成离子注入区域;步骤04:去除光刻胶;步骤05:去除部分或全部所述的缺陷区域;步骤06:采用热处理工艺在去除的缺陷区域的位置形成新绝缘层。
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