[发明专利]一种离子注入方法在审
申请号: | 201610564791.X | 申请日: | 2016-07-18 |
公开(公告)号: | CN106128945A | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 龟井诚司 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;张磊 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种离子注入方法,通过将经离子注入的绝缘层部分或全部去除,再在去除绝缘层的位置生成一层新绝缘层,从而减少绝缘层中的金属杂质对后续工艺所形成的结构的污染,使得绝缘层具有良好的电气绝缘性;并且,避免了离子中所形成的金属杂质进入绝缘层进而向周围扩散,造成离子注入区域和其它结构的污染,提高了半导体衬底的清洁度,进一步提高了半导体器件的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 离子 注入 方法 | ||
【主权项】:
一种离子注入方法,其特征在于,包括:步骤01:提供一半导体衬底,并且在半导体衬底表面形成绝缘层;步骤02:在所述绝缘层上涂覆光刻胶,经光刻,在光刻胶中刻蚀出开口,开口底部暴露出绝缘层表面;步骤03:以光刻胶为掩膜,通过光刻胶的开口向绝缘层和半导体衬底中进行离子注入,从而在开口下方的绝缘层中形成缺陷区域,以及对应于开口下方的半导体衬底中形成离子注入区域;步骤04:去除光刻胶;步骤05:去除部分或全部所述的缺陷区域;步骤06:采用热处理工艺在去除的缺陷区域的位置形成新绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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