[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备有效
| 申请号： | 201610565083.8 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN106206315B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;魏星 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10;H01L21/265 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 倪斌<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；在衬底上形成的沿第一方向延伸的鳍，鳍包括位于其在第一方向上的相对两端处的第一侧面和第二侧面；分别在鳍的第一侧面和第二侧面上形成的源区层和漏区层；在衬底上形成的沿与第一方向相交的第二方向延伸的栅堆叠，栅堆叠与鳍相交从而在鳍中限定沟道区；以及在沟道区底部在衬底中形成的穿通阻止(PTS)层，其中，在鳍下方，PTS层具有沿第一方向两侧高中间低的掺杂浓度分布。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 包括 器件 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n衬底；/n在衬底上形成的沿第一方向延伸的鳍，鳍包括位于其在第一方向上的相对两端处的第一侧面和第二侧面；/n分别在鳍的第一侧面和第二侧面上形成的源区层和漏区层；/n在衬底上形成的沿与第一方向相交的第二方向延伸的栅堆叠，栅堆叠与鳍相交从而在鳍中限定沟道区；以及/n在沟道区底部在衬底中形成的穿通阻止层，称为PTS层，其中，在鳍下方，PTS层具有沿第一方向两侧高中间低的掺杂浓度分布。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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