[发明专利]一种发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610565314.5 | 申请日： | 2016-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN106025009B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 程志青;林兓兓;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，涉及一种发光二极管及其制备方法，利用低生长速率、高Mg/Ga摩尔比及高Mg掺杂，使得P型层在厚度小或者等于于250Å时，仍然能填平电子阻挡层上表面的V型缺陷，减小P型层对光的吸收，同时，减小器件因表面V型缺陷密度较大而产生的漏电情况，提升其抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 减小 制备 半导体技术领域 电子阻挡层 抗静电能力 漏电 上表面 填平 掺杂 生长 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的制备方法，至少包括如下步骤：提供一衬底；于所述衬底上生长N型层；于所述N型层上生长有源层及电子阻挡层，所述电子阻挡层上表面V型缺陷宽度大于或者等于50nm，V型缺陷密度大于或者等于1×108cm‑2；于所述电子阻挡层上继续生长P型层，所述P型层为Mg掺杂GaN材料层；其特征在于：调节所述P型层中Mg/Ga摩尔比大于或者等于0.005，生长速率小于或者等于50Å/min，制备厚度小于或者等于250Å、及表面V型缺陷密度小于或者等于5×106 cm‑2的P型层。
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