[发明专利]一种单层有序二氧化硅纳米球阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种单层有序二氧化硅纳米球阵列的制备方法，具有以下步骤：蓝宝石基底的清洗；引流片的清洗；单层SiO2纳米球的制备：取出引流片，斜插入一定量的去离子水中，将重新配制好的SiO2‑无水乙醇溶液滴加到引流片上，形成单层SiO2阵列，从而配制成提拉液；静置待液面稳定后，用镀膜提拉机将Al2O3基片提拉，静置待Al2O3基片干燥，在Al2O3基片就形成了单层SiO2纳米球阵列。本发明采用引流分散提拉法在室温下制备单层有序二氧化硅纳米球阵列，所制备的SiO2纳米球阵列单层且密致排列，可以作为掩膜版进行后续工艺制备大面积周期有序纳米颗粒阵列，进行生物芯片、光学器件以及纳米器件的制备和研究，并且所需周期短，成本低。

主权项

一种单层有序二氧化硅纳米球阵列的制备方法，其特征在于，具有以下步骤：(1)蓝宝石基底的清洗；(2)引流片的清洗；(3)单层SiO2纳米球的制备：购买的SiO2纳米球浸泡在无水乙醇中存放；使用时将购买的SiO2纳米球无水乙醇原溶液和无水乙醇进行重新配液，然后用镊子取出引流片，斜插入一定量的去离子水中，然后使用移液枪将重新配制好的SiO2‑无水乙醇溶液滴加到引流片上，并使其缓缓流到水面上，均匀铺展开来，形成高密度、大面积的单层SiO2阵列，从而配制成提拉液；静置待液面稳定后，用镀膜提拉机缓慢地将Al2O3基片浸没在提拉液中，并竖直而缓慢地提拉出液面，提拉速度根据实验需求在10‑180μm/min之间选取，等待浸没的Al2O3基片完全被提拉出，静置待Al2O3基片干燥，在Al2O3基片就形成了单层SiO2纳米球阵列。