[发明专利]一种大垄平台栽培芸豆的方法有效
| 申请号： | 201610565572.3 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN106105723B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 于崧;张翼飞;薛盈文;郭伟;刘梦红;于立河 | 申请（专利权）人： | 黑龙江八一农垦大学 |
| 主分类号： | A01G22/40 | 分类号： | A01G22/40 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 163000 黑*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大垄平台栽培芸豆的方法，属于芸豆栽培技术领域。秋整地起垄，在所述垄两侧设垄沟，所述垄设垄台，分别对垄沟和垄台中间部位进行深松，以起垄前的土地表面为基准，所述垄沟的深松深度为30～40cm，垄台中间的深松深度为15～30cm；整地时，将基肥施于垄台中间；将种肥施于播种位置下方；在垄台上进行芸豆的播种，所述播种共3行，形成3条苗带，所述播种的行间距为25～30cm，所述芸豆的品种为直立或半蔓生型抗倒高产芸豆品种；将追肥分别施于垄上左右两侧的苗带外侧，所述追肥施于垄台下方。本发明结合深松、播种和施肥的栽培方法，通透性好、抗逆性强，改善了芸豆群体光合作用生产效率和肥料利用率，可实现芸豆丰产优质高效生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平台 栽培 芸豆 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大垄平台栽培芸豆的方法，包括以下步骤：秋整地起垄，在所述垄两侧设垄沟，所述垄设垄台，分别对垄沟和垄台中间部位进行深松，以起垄前的土地表面为基准，所述垄沟的深松深度为30～40cm，垄台中间的深松深度为15～30cm；整地时，将基肥施于垄台中间；将种肥施于播种位置下方；在垄台上对芸豆进行播种，所述播种共3行，形成3条苗带，所述播种的行间距为25～30cm，所述芸豆的品种为直立或半蔓生型抗倒高产芸豆品种；将追肥分别施于垄上左右两侧的苗带外侧，所述追肥施于垄台下方；所述垄的垄距为100～130cm，垄台宽度70～100cm，垄间行距为垄沟两侧播种位置的水平距离，所述垄间行距为40～80cm。
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