[发明专利]一种像素结构及其制备方法、阵列基板、显示装置在审

专利信息
申请号: 201610565681.5 申请日: 2016-07-18
公开(公告)号: CN106129067A 公开(公告)日: 2016-11-16
发明(设计)人: 李峰;王凤国;武新国;刘弘;王子峰;郭志轩;李元博;马波;杨璐 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/84
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及显示技术领域,公开了一种像素结构及其制备方法、阵列基板、显示装置;其中,像素结构包括:基板;位于所述基板上的源漏电极;位于所述源漏电极上的第一绝缘层,所述第一绝缘层设有第一通孔;位于所述第一绝缘层上的公共电极和搭接电极,所述公共电极和所述搭接电极互不接触,且所述搭接电极通过所述第一通孔与所述源漏电极电连接;位于所述公共电极和所述搭接电极上的第二绝缘层,所述第二绝缘层设有第二通孔;位于所述第二绝缘层上的像素电极,所述像素电极通过所述第二通孔与所述搭接电极电连接。上述像素结构的公共电极与源漏电极和/或像素电极之间不容易产生接触短路,所以,上述像素结构的良率较高。
搜索关键词: 一种 像素 结构 及其 制备 方法 阵列 显示装置
【主权项】:
一种像素结构,其特征在于,包括:基板;位于所述基板上的源漏电极;位于所述源漏电极上的第一绝缘层,所述第一绝缘层设有第一通孔;位于所述第一绝缘层上的公共电极和搭接电极,所述公共电极和所述搭接电极互不接触,且所述搭接电极通过所述第一通孔与所述源漏电极电连接;位于所述公共电极和所述搭接电极上的第二绝缘层,所述第二绝缘层设有第二通孔;位于所述第二绝缘层上的像素电极,所述像素电极通过所述第二通孔与所述搭接电极电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610565681.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top