[发明专利]一种槽栅VDMOS

摘要

本发明公开了一种槽栅VDMOS，包括：衬底、外延层、第一阱区、第二阱区、位于所述第二阱区表面的第一源极、槽型栅极、包围所述槽型栅极的栅氧化层、第二源极纵向场板和包围所述第二源极纵向场板的二氧化硅层；其中，所述衬底、所述外延层和所述第二阱区的掺杂类型均为第一掺杂类型；所述第一阱区的掺杂类型为第二掺杂类型；其中，所述栅氧化层和所述二氧化硅层被所述第一阱区和所述第二阱区隔离。本发明提供的槽栅VDMOS，用以解决现有技术中应用电荷耦合技术的槽栅VDMOS，存在的在空间辐射时，易发生SEB和SEGR的技术问题。实现了减少SEB和SEGR出现的风险，提高可靠性的技术效果。

主权项

1.一种槽栅VDMOS，其特征在于，包括：衬底、外延层、位于所述外延层表面的第一阱区、位于所述第一阱区表面的第二阱区、位于所述第二阱区表面的第一源极、槽型栅极、包围所述槽型栅极的栅氧化层、第二源极纵向场板和包围所述第二源极纵向场板的二氧化硅层；其中，所述衬底、所述外延层和所述第二阱区的掺杂类型均为第一掺杂类型；所述第一阱区的掺杂类型为第二掺杂类型；所述第一阱区中靠近所述第二源极纵向场板的一侧均为重掺杂区；所述重掺杂区的掺杂浓度高于所述第一阱区中除所述重掺杂区外其他区域的掺杂浓度，其中，所述第一源极通过接触孔沿所述二氧化硅层的表面延伸至与所述重掺杂区接触；其中，沿靠近所述槽型栅极的方向，所述第一阱区的深度递减；其中，所述栅氧化层和所述二氧化硅层被所述第一阱区和所述第二阱区隔离。