[发明专利]微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器有效
申请号: | 201610565762.5 | 申请日: | 2016-07-18 |
公开(公告)号: | CN106129141B | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 尤立星;巫君杰;李浩;王镇;方伟;童利民 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;浙江大学 |
主分类号: | H01L31/0256 | 分类号: | H01L31/0256;H01L31/0352;H01L31/08;B82Y15/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器,包括:微纳光纤及超导纳米线;所述超导纳米线位于所述微纳光纤表面,且所述超导纳米线的长度方向与所述微纳光纤的长度方向一致。本发明将超导纳米线形成于所述微纳光纤表面,利用微纳光纤在微纳尺度的光传输、耦合特性,可以实现微纳光纤与超导纳米线的直接高效光耦合,提高了超导纳米线单光子探测器的光耦合效率;超导纳米线的有效面积与传统器件相比不受光纤端面尺寸限制,可以减小超导纳米线的长度,从而有效降低超导纳米线单光子探测器的动态电感,进而提高超导纳米线单光子探测器的速率;超导纳米线直接形成于所述微纳光纤的表面,提高了超导纳米线单光子探测器长期工作的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 光纤 表面 制备 导纳 米线 光子 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器,其特征在于,所述微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器包括:微纳光纤及超导纳米线;其中,所述超导纳米线位于所述微纳光纤表面,且所述超导纳米线的长度方向与所述微纳光纤的长度方向一致。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的