[发明专利]一种静电保护结构

摘要

本发明公开了一种静电保护结构，设置于需要进行静电保护的器件的两个极之间，包括：外延层；两个第一阱区，位于所述外延层的表层；所述两个第一阱区中分别设置有一个第二阱区，共两个第二阱区；所述两个第二阱区分别与所述两个极接触；所述两个极之间设置有隔离氧化层，以在隔离所述两个极的同时，保护所述静电保护结构的表面；其中，所述外延层和所述两个第二阱区均为第一掺杂类型；所述两个第一阱区为第二掺杂类型。本发明提供的结构，用以解决现有技术中的ESD保护结构，存在的只具有单向阻断能力，不适用于功率器件的技术问题。提供了一种具有双向ESD防护能力，且与大部分功率器件制造工艺兼容的ESD保护结构。

主权项

1.一种静电保护结构，其特征在于，所述静电保护结构设置于需要进行静电保护的器件的两个极之间，所述静电保护结构包括：外延层；两个第一阱区，位于所述外延层的表层；所述两个第一阱区中分别设置有一个第二阱区，共两个第二阱区；所述两个第二阱区分别与所述两个极接触；所述两个极之间设置有隔离氧化层，以在隔离所述两个极的同时，保护所述静电保护结构的表面；所述两个极分别为栅极和源极；N个静电保护加强结构，所述N个静电保护加强结构位于所述外延层的表层，设置于所述两个第一阱区之间，所述N个静电保护加强结构与所述两个第一阱区通过所述外延层隔离，N为自然数；所述静电保护加强结构包括与所述第一阱区掺杂类型相同的场限环，所述场限环包括多个单环；其中，所述外延层和所述两个第二阱区均为第一掺杂类型；所述两个第一阱区为第二掺杂类型。