[发明专利]一种等腰梯形式发光二极管的制备工艺

摘要

本发明公开的一种发光二极管制备工艺，本发明的通过角度互补的方式制作具有等腰梯形截面的发光二极管，先通过光阻层和DBR阻挡层配合塑性，确定等腰梯形截面的倾斜角度，去掉光阻层后在DBR阻挡层之间的间隙中生长第二N‑GaN层、有源层以及P‑GaN，因此形成的发光二极管的角度由光阻层的角度决定，所以只需对光阻层角度进行控制就能够控制发光二极管的角度，而这个角度需要结合预先设定的LED灯高度、宽度等参数来控制。本发明根据发光二极管的宽度、高度来准确地控制反射光的出射角度，实现不同角度的出光结构，以避免光损失，提高出光量。

主权项

1.一种等腰梯形式发光二极管的制备工艺，其特征在于：步骤一、在衬底上生成第一N-GaN层；步骤二、在第一N-GaN层上形成两个以上的具有等腰梯形截面的光阻层，各光阻层并列且相互独立；步骤三、在光阻层的两侧蒸镀上DBR阻挡层，使DBR阻挡层在第一N-GaN层上与光阻层形成角度互补；步骤四、用胶液去掉DBR阻挡层中间的光阻层，使相邻DBR阻挡层之间形成间隙；步骤五、在第一N-GaN层上方的各个间隙内依次向上依次外延生长第二N-GaN层、有源层以及P-GaN层，所述依次生长的第二N-GaN层、有源层以及P-GaN层与它们两侧的DBR阻挡层形成角度互补；步骤六、利用ICP刻蚀掉DBR阻挡层；步骤七、在P-GaN层表面蒸镀一层镜面反射层，在其中一层镜面反射层的中间刻蚀出通孔，该通孔通向P-GaN层；步骤八、在镜面反射层上蒸镀一层Barrier阻挡层，在具有通孔的镜面反射层上方的Barrier阻挡层也刻蚀出相对于的通孔；步骤九、在第二N-GaN层、有源层以及P-GaN层的两侧以及Barrier阻挡层上方蒸镀一层保护层，在在通孔上方的保护层刻蚀出一P-Pad空间；步骤十、在P-Pad空间中蒸镀上P-Pad层，P-Pad层通过通孔与P-GaN层连接，在不具有P-Pad空间的保护层上蒸镀N-Pad层，N-Pad层与第二N一GaN层连接。