[发明专利]基于π型巨压阻结构的湿度传感器及其温漂修正方法

摘要

本发明提供一种基于π型巨压阻结构的湿度传感器，包括4个数据采集器、数据转换集成层和过滤网，4个所述数据采集器分两排分布在数据转换集成层上，所述过滤网置于所述数据采集器的检测区上，所述数据转换集成层包括四点电阻测量电路、CS1180模数转换器、STM32F407单片机和TFT真彩液晶显示屏；4个数据采集器将采集到的数据通过四点电阻测量电路量电路传输给CS1180模数转换器，CS1180模数转换器转换后输出至STM32F407单片机，由STM32F407单片机发送至TFT真彩液晶显示屏，在TFT真彩液晶显示屏上显示；另外，本发明还提供了湿度传感器的温漂修正方法。

主权项

1.基于π型巨压阻结构的湿度传感器，其特征在于：包括4个数据采集器、数据转换集成层和过滤网，4个所述数据采集器分两排分布在数据转换集成层上，所述过滤网置于所述数据采集器的检测区上，所述数据转换集成层包括四点电阻测量电路、CS1180模数转换器、STM32F407单片机和TFT真彩液晶显示屏；4个数据采集器将采集到的数据通过四点电阻测量电路传输给CS1180模数转换器，CS1180模数转换器转换后输出至STM32F407单片机，由STM32F407单片机发送至TFT真彩液晶显示屏，在TFT真彩液晶显示屏上显示；所述数据采集器包括基底、应力层、检测区和π型巨压阻结构，所述应力层置于所述基底上，所述检测区和π型巨压阻结构分布在所述应力层上，其中，检测区置于所述应力层的中心，π型巨压阻结构为两个，分布置于所述检测区的两侧且位于所述应力层边缘处，两个所述π型巨压阻结构通过金属铝材质的连接线串联，并由一个恒流源供电；所述π型巨压阻结构包括硅结构区、锗结构区和金结构区，其中硅结构区为两段，分布置于所述锗结构区的两端，所述金结构区置于所述硅结构区、锗结构区的同一侧，且所述金结构区的长度等于两段硅结构区和锗结构区的长度之和，所述硅结构区和所述锗结构区的交界处为硅‑锗异质结，所述金结构区和所述硅结构区、锗结构区的交界处为金‑硅‑锗异质结；所述锗结构区的另一侧设有电位监测点；所述π型巨压阻结构的一侧设有温度传感器，用于实时检测环境温度。