[发明专利]一种基于石墨烯的非制冷红外探测器及原位制作方法在审

专利信息
申请号: 201610567749.3 申请日: 2016-07-19
公开(公告)号: CN106248221A 公开(公告)日: 2016-12-21
发明(设计)人: 冯双龙;魏兴战;申钧;杨俊;陆仕荣;周大华;史浩飞;杜春雷 申请(专利权)人: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
主分类号: G01J5/10 分类号: G01J5/10
代理公司: 北京元本知识产权代理事务所11308 代理人: 黎昌莉
地址: 400714 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明公开了一种石墨烯非制冷红外探测焦平面器件,包括基底;所述基底上设置周期性红外探测基元阵列,单个所述红外探测基元包括位于基底上的衬底和原位生长于衬底上的三维石墨烯墙。本发明提供的非制冷红外探测焦平面器件采用了三维石墨烯墙作为红外吸收层的桥面结构,增强了红外探测焦平面器件的红外吸收率,通过测试证明该器件对8~14μm的中远红外波段的红外辐射能量的吸收率能够提高20%左右;对2μm~5μm的近红外波段的红外辐射能量的吸收率能够提高30%‑45%,对于短波1‑2μm红外的吸收率能够提高30%~60%;从而使得非制冷焦平面器件的探测效率得到进一步提升;同时,该器件无需增透膜,从而在一定程度上简化了器件结构并适当降低了器件成本。此外,该器件与现有的非制冷红外探测焦平面器件的制备工艺完全兼容。
搜索关键词: 一种 基于 石墨 制冷 红外探测器 原位 制作方法
【主权项】:
一种石墨烯非制冷红外探测焦平面器件,其特征在于,包括基底;所述基底上设置周期性红外探测基元阵列,单个所述红外探测基元包括位于基底上的衬底和原位生长于衬底上的三维石墨烯墙。
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