[发明专利]一种嵌入式多取向金属纳米线透明导电薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610567937.6 申请日: 2016-07-19
公开(公告)号: CN106057359B 公开(公告)日: 2018-08-10
发明(设计)人: 杨柏儒;刘贵师;许钰旺;谢汉萍 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B1/22
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 陈卫;禹小明
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种嵌入式多取向金属纳米线透明导电薄膜的制备方法,包括以下步骤,S1.在临时衬底上加入金属纳米线溶液,再对金属纳米线进行定向排列,所述的临时衬底为亲水性材料,S2.对临时衬底进行表面修饰,使得临时衬底从亲水性变为疏水性,获得表面改性后的衬底‑金属纳米线薄膜,S3.嵌入剥离工序:利用固化胶将金属纳米线嵌入到固化胶中,并进行固化胶和临时衬底之间的剥离。本发明通过调整临时衬底的亲疏水性,从而获得一个具有更好的导电率、黏附性、平整度及稳定性的嵌入式多取向金属纳米线透明导电薄膜。
搜索关键词: 一种 嵌入式 取向 金属 纳米 透明 导电 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1.一种嵌入式多取向金属纳米线透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤,S1.在临时衬底上加入金属纳米线溶液,再对金属纳米线进行定向排列,所述的临时衬底为亲水性材料,S2.对临时衬底进行表面修饰,使得临时衬底从亲水性变为疏水性,获得表面改性后的衬底‑金属纳米线复合薄膜,所用的修饰材料为有机硅化合物,所述的有机硅化合物一端带有可水解的基团,另一端带有疏水基团,S3.嵌入剥离工序:将金属纳米线嵌入到液态固化胶中,固化后进行固化胶和临时衬底之间的剥离。
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