[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610569671.9 | 申请日： | 2011-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN106098788B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置，氧化物半导体膜具有各自设置有包含与氧化物半导体膜的成分类似成分的金属氧化物膜的顶表面部及底表面部。以与金属氧化物膜的表面接触的方式进一步形成包含与金属氧化物膜及氧化物半导体膜不同的成分的绝缘膜，该金属氧化物膜的表面与接触氧化物半导体膜的表面相对。用于晶体管有源层的氧化物半导体膜是通过从氧化物半导体去除诸如氢、水分、羟基和氢化物之类杂质、且供应作为氧化物半导体主要成分且在去除杂质的步骤中同时被减少的氧而被高纯度化为电性上i型(本征)的氧化物半导体膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：栅电极；覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上的第一金属氧化物膜；与所述第一金属氧化物膜接触且与所述栅电极重叠的氧化物半导体膜；与所述氧化物半导体膜接触的源电极及漏电极；在所述氧化物半导体膜上且与该氧化物半导体膜接触的第二金属氧化物膜；以及在所述第二金属氧化物膜上的绝缘膜。
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