[发明专利]一种介质材料的二次电子能谱测量装置及测量方法

摘要

本发明提供一种介质材料的二次电子能谱测量装置及测量方法，测量装置包括置于高真空系统中的脉冲电子枪、筒状收集极、平面网状栅极、样品和金属样品托；筒状收集极上开设有圆孔，脉冲电子枪发出的入射电子束穿过筒状收集极上的圆孔和平面网状栅极垂直照射到样品上，平面网状栅极连接示波器；样品与下方的金属样品托紧密相贴并通过电阻R₁接地，筒状收集极的偏压设置为零，平面网状栅极经过开关Kg与外加电源连接，平面网状栅极加负偏压，测量过程中样品表面的电荷通过平面网状栅极加负偏压的方法被中和掉，流过平面网状栅极的电流I_g经过电阻R_g后用示波器测出；该装置结构简单，成本低，而且测量方法也简便，测量周期短，效率高。

主权项

1.一种介质材料的二次电子能谱测量方法，其特征在于，基于所述介质材料的二次能谱测量装置，所述二次能谱装置包括：置于高真空系统中的脉冲电子枪(1)、筒状收集极(2)、平面网状栅极(3)、样品(4)和金属样品托(5)；筒状收集极(2)上开设有圆孔，脉冲电子枪(1)发出的入射电子束穿过筒状收集极(2)上的圆孔和平面网状栅极(3)垂直照射到样品(4)上，平面网状栅极(3)连接示波器；样品(4)与下方的金属样品托(5)紧密相贴并通过电阻R₁接地，筒状收集极的偏压设置为零，平面网状栅极(3)经过开关(Kg)与外加电源连接，平面网状栅极(3)加负偏压，测量过程中样品(4)表面的电荷通过平面网状栅极(3)加负偏压的方法被中和掉，流过平面网状栅极(3)的电流I_g经过电阻R_g后用示波器测出；基于所述二次能谱测量装置的测量方法包括以下步骤：步骤一、基于平面平面网状栅极负偏压阻挡法对二次电子能谱的测量；首先测量样品(4)二次电子发射系数与平面网状栅极偏压的关系曲线，然后将关系曲线对平面网状栅极(3)偏压进行微分处理，得到能谱分布；步骤二、测量过程中样品表面电荷的中和；在两次测量之间，对前一次测量后表面累积的电荷进行中和，设置平面网状栅极偏压为一个合适的负偏压，若原先样品表面电位较平面网状栅极偏压为正，由样品出射的二次电子被反射回样品，使得样品表面电位下降；反之，若原先样品表面电位较平面网状栅极偏压为负，由样品出射的二次电子被筒状收集极接收，使得样品表面电位上升。