[发明专利]一种中空纳米碳球的制备方法有效
| 申请号： | 201610570767.7 | 申请日： | 2016-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN106185865B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 沈少华;谭余波 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C01B32/15 | 分类号： | C01B32/15 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种中空纳米碳球的制备方法，提供纳米碳球颗粒作为前驱体；分别将等质量不同粒径的纳米碳球颗粒(CSs)置于马弗炉中煅烧；煅烧后所余残留物即为目标产物，本发明方法实现了球体完整、单分散性好、可稳定储存、粒径在100‑1000nm、壁厚在10nm‑500nm以内均一可控的中空纳米碳球制备。整个制备过程且无任何有机溶剂及有毒试剂加入，不需要模板，工艺极其简单，可控性强，重复性好，且前躯体材料来源广泛且价格低廉，从而使得生产成本较低且绿色环保，适合大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中空 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种中空纳米碳球的制备方法，其特征在于包括以下步骤：s1、提供粒径在100‑1000nm的前躯体纳米碳球；s2、将步骤s1所述的前躯体纳米碳球充分研磨分散成粉末，随后将该粉末平铺在坩埚中，并将坩埚置于马弗炉中煅烧处理后获得目标产物；煅烧处理时，以2℃/min以上的升温速率升温至300‑‑800℃并保温0.2‑12h，获得目标产物，目标产物粒径为100‑1000nm。
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