[发明专利]蓝宝石晶片腐蚀抛光复合加工方法

摘要

本发明公开了一种蓝宝石晶片腐蚀抛光复合加工方法，它通过对双面研磨后的晶片进行第一次腐蚀‑粗抛‑第二次腐蚀‑精抛复合加工，即先通过强酸腐蚀以在较短时间去除双面研磨所产生的损伤层，接着通过粗抛较短时间，以在晶片表面重新产生一层较小的损伤层，再次通过强酸腐蚀后，以使晶片表面已较为光滑，最后只需通过较短时间的精抛即可获得符合要求的超光滑、无损伤的晶片表面，能够快速获得超光滑无损伤的晶片表面，大大提高了蓝宝石晶片抛光效率，可在提高加工速率的前提下降低生产成本，同时提高产品优良率。

主权项

蓝宝石晶片腐蚀抛光复合加工方法，其特征在于：包括：步骤1，第一次腐蚀步骤，采用混合强酸对双面研磨后的蓝宝石晶片表面进行第一次腐蚀，腐蚀温度为250℃‑300℃，通过第一次腐蚀去除研磨所产生的损伤层；该混合强酸由浓度为80％‑90％的H3PO4和浓度为90％‑100％的H2SO4组成，浓硫酸和浓磷酸的混合质量比例为3:1‑1:3；步骤2，粗抛步骤，采用磨料对晶片表面进行粗抛加工，使腐蚀后的粗糙表面变得平坦，并产生更加均匀的表面损伤层；步骤3，第二次腐蚀步骤，采用混合强酸对粗抛后的蓝宝石晶片表面进行第二次腐蚀，腐蚀温度为250℃‑300℃，第二次腐蚀时间少于第一次腐蚀时间，通过第二次腐蚀去除粗抛所产生的损伤层；该混合强酸由浓度为80％‑90％的H3PO4和浓度为90％‑100％的H2SO4组成，浓硫酸和浓磷酸的混合质量比例为3:1‑1:3；步骤4，精抛步骤，采用磨料对晶片表面进行精抛加工，使之获得光滑的晶片表面。