[发明专利]反相器结构及其显示面板有效
申请号: | 201610573440.5 | 申请日: | 2016-07-20 |
公开(公告)号: | CN106057153B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 田勇;赵莽 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;G09G3/20;G02F1/133 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种反相器结构及其显示面板,该反相器结构包括第一晶体管和第二晶体管,其中,第一晶体管由第一源电极、第一源极区域、第一沟道区域、第一漏极区域、第一漏电极和第一栅电极构成;第二晶体管由第二源电极、第二源极区域、第二沟道区域、第二漏极区域、第二漏电极和第二栅电极构成。本发明提供的反相器结构由于设有第一漏极区域和第二漏极区域,第一漏极区域和第二漏极区域相互匹配且设置在同一行中,可以减少反相器结构的高度和面积,从而达到减少显示面板的高度和面积,以便节约成本。 | ||
搜索关键词: | 反相器 结构 及其 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种反相器结构,其特征在于,所述反相器结构包括:多晶硅层,其中,所述多晶硅层包括第一源极区域、第一漏极区域、第一沟道区域、第二源极区域、第二漏极区域和第二沟道区域,所述第一漏极区域和所述第二漏极区域相互匹配且设置在同一行中,且所述第一漏极区域和所述第二漏极区域所组成的区域与所述第一源极区域和所述第二源极区域分别相对,所述第一沟道区域位于所述第一源极区域与所述第一漏极区域和所述第二漏极区域所组成的区域之间,而所述第二沟道区域位于所述第二源极区域与所述第一漏极区域和所述第二漏极区域所组成的区域之间,其中,所述第一漏极区域包括第一主体部分和第一延伸部分,所述第一延伸部分的宽度小于所述第一主体部分的宽度,且所述第一延伸部分从所述第一主体部分靠近所述第一沟道区域的边缘处向所述第二漏极区域的方向延伸;所述第二漏极区域包括第二主体部分和第二延伸部分,所述第二延伸部分的宽度小于所述第二主体部分的宽度,且所述第二延伸部分从所述第二主体部分靠近所述第二沟道区域的边缘处向所述第一漏极区域的方向延伸;其中,所述第一主体部分与所述第二主体部分至少部分交错相对,且所述第一延伸部分和所述第二延伸部分的延伸方向彼此相对;栅极金属层,包括第一栅电极和第二栅电极,其中,所述第一栅电极设置在所述第一沟道区域上,而所述第二栅电极设置在所述第二沟道区域上,且所述第一栅电极与所述第二栅电极电连接以作为所述反相器的输入端;第一源电极,设置在所述第一源极区域上;第二源电极,设置在所述第二源极区域上;漏极金属层,包括第一漏电极和第二漏电极,其中,所述第一漏电极设置在所述第一漏极区域上,而所述第二漏电极设置在所述第二漏极区域上,且所述第一漏电极和所述第二漏电极电连接以作为所述反相器的输出端;其中,所述第一源电极、所述第一源极区域、所述第一沟道区域、所述第一漏极区域、所述第一漏电极和所述第一栅电极构成第一晶体管;而所述第二源电极、所述第二源极区域、所述第二沟道区域、所述第二漏极区域、所述第二漏电极和所述第二栅电极构成第二晶体管。
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