[发明专利]一种低功耗高转换增益无源混频器

摘要

本发明公开了一种低功耗高转换增益无源混频器，包括巴伦跨导级、无源本振开关及跨阻放大器；其中，巴伦跨导级采用电流复用结构，包括射频跨导级和射频预放大器，且射频预放大器采用共源放大器结构，射频跨导级采用CMOS跨导结构；跨阻放大器包括跨导增强的共栅放大器。相比与传统的无源混频器结构，本发明同时降低了跨导级和跨阻放大器的工作电流，具有转换增益高、工作稳定、功耗低的特点，且实现了更高阶的频率选择特性及对带外干扰信号的有效抑制。

主权项

1.一种低功耗高转换增益无源混频器，其特征在于，包括巴伦跨导级、无源本振开关及跨阻放大器；其中，巴伦跨导级采用电流复用结构，包括射频跨导级和射频预放大器，且射频预放大器采用共源放大器结构，射频跨导级采用CMOS跨导结构；跨阻放大器包括跨导增强的共栅放大器；所述巴伦跨导级包括射频预放大器和射频跨导级；所述射频预放大器包括第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第一电容C1、第二电容C2、第一电阻R1和第二电阻R2，具体电路结构为：第一NMOS管NM1的源极接地，其栅极接第一电容C1的上极板，其漏极接第五电阻R5的负极；第一电容C1的下极板接输入信号的正极；第一电阻R1的正极接第一偏置电压，其负极接第一NMOS管NM1的栅极；第二NMOS管NM2的源极接地，其栅极接第二电容C2的上极板，其漏极接第六电阻R6的负极；第二电容C2的下极板接输入信号的负极；第二电阻R2的正极接第一偏置电压，其负极接第二NMOS管NM2的栅极；所述射频跨导级包括第九NMOS管NM9、第十NMOS管NM10、第一PMOS管PM1、第八PMOS管PM8、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9、第十电容C10、第十一电容C11和第一参考电流源IB1，具体电路结构为：第七电阻R7的正极接第二偏置电压，其负极接第九NMOS管NM9的栅极；第八电阻R8的正极接第二偏置电压，其负极接第十NMOS管NM10的栅极；第六电容C6的上极板接第九NMOS管NM9的栅极，其下极板接第一NMOS管NM1的漏极；第七电容C7的上极板接第十NMOS管NM10的栅极其下极板接第二NMOS管NM2的漏极；第九NMOS管NM9的源极接第五电阻R5的正极，其栅极接第九电容C9的下极板，其漏极接跨导输出信号的正极；第十NMOS管NM10的源极接第六电阻R6的正极，其栅极接第十电容C10的下极板，其漏极接跨导输出信号的负极；第八电容C8的上极板接第九NMOS管NM9和第十NMOS管NM10的源极，其下极板接地；第九电阻R9的正极接跨导输出信号的正极，其负极接第一参考电流源IB1的正极；第十电阻R10的正极接跨导输出信号的负极，其负极接第一参考电流源IB1的正极；第一参考电流源IB1的负极接地；第一PMOS管PM1的源极接电源电压VCC，其栅极接第九电容C9的上极板，其漏极接跨导输出信号的正极；第八PMOS管PM8的源极接电源电压VCC，其栅极接第十电容C10的上极板，其漏极接跨导输出信号的负极；第十一电阻R11的正极接第一PMOS管PM1的栅极，其负极接第一参考电流源IB1的正极；第十二电阻R12的正极接第八PMOS管PM8的栅极，其负极接第一参考电流源IB1的正极；第十一电容C11的上极板接电源电压VCC，其下极板接第一参考电流源IB1的正极。