[发明专利]一种提升钙钛矿结晶性的方法有效
申请号: | 201610575139.8 | 申请日: | 2016-07-21 |
公开(公告)号: | CN106128954B | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 郭小伟;柳邦;周勇;李绍荣 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 张杨 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种提升钙钛矿薄膜结晶性能的方法,它是在钙钛矿制备过程中,在二甲基亚砜溶剂气氛下进行退火,提高钙钛矿结晶性的一种方法。在退火的过程中将钙钛矿样品置于二甲基亚砜气氛下可以促进晶粒生长,生成薄膜结晶性优异、缺陷密度降低的钙钛矿薄膜。这种薄膜可以减少钙钛矿太阳能电池的载流子复合并提升钙钛矿太阳能电池的性能。相对于常用的水蒸气和二甲基甲酰胺等溶剂退火,二甲基亚砜拥有更低的蒸汽压和更高的沸点,在增强钙钛矿结晶性方面有着更大的优势。 | ||
搜索关键词: | 一种 提升 钙钛矿 结晶 方法 | ||
【主权项】:
1.一种提升钙钛矿结晶性的方法:该方法首先将覆盖有ITO的玻璃基底依次用洗涤剂、丙酮、乙醇超声洗涤30分钟,用氮气枪吹干;采用旋涂法制备厚度为300nm的CH3 NH3 PbI3‑xClx钙钛矿光吸收层;100摄氏度下加热5分钟;将预退火完毕的样品转移至100℃的加热台上;加热台上放置一个直径1cm的坩埚,用移液枪抽取10μl二甲基亚砜滴入坩埚,然后迅速用玻璃盖覆盖样品和坩埚;坩埚被加热,里面的溶剂变为蒸汽蒸发出来,在盖子里形成了二甲基亚砜溶剂气氛;溶剂退火时间为30min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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