[发明专利]一种石墨烯太赫兹探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种石墨烯太赫兹探测器及其制备方法，该探测器由下至上包括硅衬底层、底部钝化层、金属反射层、微桥支撑层、石墨烯薄膜层和金属图形层，微桥支撑层跨接在金属反射层两侧的底部钝化层上，且微桥支撑层与底部钝化层之间形成微桥空腔，金属反射层位于微桥空腔内；石墨烯薄膜层和金属图形层依次形成于微桥支撑层的顶面；微桥支撑层的侧面依次形成有电极层和桥腿钝化层，且电极层的一端电性连接石墨烯薄膜层，另一端连接底部钝化层；其中，微桥空腔、微桥支撑层以及石墨烯薄膜层构成复合介质层，金属反射层、复合介质层和金属图形层共同构成超材料结构。本发明能够解决现阶段太赫兹探测器存在的对太赫兹辐射吸收率低和响应低的问题。

主权项

一种石墨烯太赫兹探测器，其特征在于，包括：硅衬底层；底部钝化层，所述底部钝化层形成于所述硅衬底层上；金属反射层，所述金属反射层形成于所述底部钝化层上；微桥支撑层，所述微桥支撑层跨接在所述金属反射层两侧的所述底部钝化层上，且所述微桥支撑层与所述底部钝化层之间形成微桥空腔，所述金属反射层位于所述微桥空腔内；石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层形成于所述微桥支撑层的顶面；电极层，所述电极层形成于所述微桥支撑层的侧面，且所述电极层的一端电性连接所述石墨烯薄膜层，另一端连接所述底部钝化层；桥腿钝化层，所述桥腿钝化层形成于所述电极层上；金属图形层，所述金属图形层形成于所述石墨烯薄膜层上；其中，所述微桥空腔、所述微桥支撑层以及所述石墨烯薄膜层构成复合介质层，所述金属反射层、所述复合介质层和所述金属图形层共同构成超材料结构。