[发明专利]单芯片正交混合耦合器管芯和平衡式功率放大器模块

摘要

本发明公布了一种单芯片正交混合耦合器管芯和一种平衡式功率放大器模块，单芯片正交混合耦合器管芯包括先进半导体加工工艺的集成无源器件IPD，IPD结构上至少包括衬底、衬底上至少叠有两层金属走线、金属走线间的介质层和连接金属的过孔；还包括一个或多个片上电感器和片上电容器；片上电感器和片上电容器均都置于同一颗IPD衬底上，无需表贴电感、表贴电容和额外器件装配空间。平衡式功率放大器模块包括输入、输出、驱动放大器、功率放大器和隔离电阻；所有器件均集成在同一模块中；输入和输出均采用上述单芯片正交混合耦合器管芯。本发明具有尺寸紧凑、制造成本低、带内损耗小的优点。

主权项

一种单芯片正交混合耦合器管芯，包括先进半导体加工工艺的集成无源器件IPD，所述单芯片正交混合耦合器管芯采用的IPD结构上至少包括IPD衬底、衬底上至少叠有两层金属走线、金属走线间的介质层和连接金属的过孔；还包括四个片上电感器和三个片上电容器；所述四个片上电感器分别是第一电感器、第二电感器、第三电感器、第四电感器；所述三个片上电容器分别为第一电容器、第二电容器和第三电容器；所述片上电感器包括至少一条金属走线、至少两个键合焊盘和至少一条键合线；所述金属走线在IPD上呈相互平行状态，键合线在空间上呈相互平行状态；流经金属走线的电流同相，流经键合线的电流同相；所述片上电容器放置在相邻且互不连接的电感器端口的中间位置；所述片上电容器的上极板、下极板分别连接在相邻且互不连接的电感器端口；所述片上电感器和片上电容器均置于同一颗IPD衬底上，无需表贴电感、表贴电容和额外器件装配空间。