[发明专利]基于石墨烯场效应晶体管的太赫兹探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种基于石墨烯场效应晶体管的太赫兹探测器及其制备方法，该探测器由下至上包括栅极、衬底层、绝缘层、金属电极层、石墨烯沟道层，金属电极层包括金属电极阵列以及位于金属图形阵列两侧的源极和漏极，金属电极阵列包括多个周期性间隔排列的金属电极，金属电极、源极和漏极的厚度相同，石墨烯沟道层形成在金属电极层上，且石墨烯沟道层全部覆盖金属电极阵列以及至少部分覆盖源极和漏极。通过上述方式，本发明能够提高探测器对太赫兹辐射的吸收率。

主权项

一种基于石墨烯场效应晶体管的太赫兹探测器，其特征在于，包括栅极、衬底层、绝缘层、金属电极层、石墨烯沟道层，所述栅极形成在所述衬底层下表面，所述绝缘层形成在所述衬底层上表面，所述金属电极层形成在所述绝缘层上，所述金属电极层包括金属电极阵列以及位于所述金属图形阵列两侧的源极和漏极，所述金属电极阵列包括多个周期性间隔排列的金属电极，所述金属电极、所述源极和所述漏极的厚度相同，所述石墨烯沟道层形成在所述金属电极层上，且所述石墨烯沟道层全部覆盖所述金属电极阵列以及至少部分覆盖所述源极和所述漏极；石墨烯沟道层与金属电极、源极和漏极紧贴，而石墨烯沟道层未与金属电极、源极及漏极接触的部分处于架空状态；所述金属电极的形状为十字架形。