[发明专利]电容数值更大的深沟槽硅电容在审
| 申请号： | 201610576164.8 | 申请日： | 2016-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN106024765A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 吕耀安 | 申请（专利权）人： | 无锡宏纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂汉钦 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区清源路*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电容数值更大的深沟槽硅电容，包括硅衬底；所述硅衬底的最上层为一层第一硅氧化物；所述硅衬底上表面由竖直方向开设有沟槽；沟槽的侧面为倾斜状；由沟槽的开口处到沟槽底端，沟槽的横截面越来越小；沟槽的高度大于沟槽的宽度最宽处；沿沟槽最内层为一层重掺杂硅；重掺杂硅之外为一层第二硅氧化物；第二硅氧化物的上表面与沟槽开口处的第一硅氧化物的内表面对齐；在第二硅氧化物的上表面之上、沟槽内部，填充有多晶硅。在相同的沟槽深度下，本发明的结构中的电容面积大于现有技术，由基本的电路的原理中的电容定义可知，本发明的电容数值更大。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 数值 更大 深沟 | ||
【主权项】：
一种电容数值更大的深沟槽硅电容，其特征在于，包括硅衬底(1)；所述硅衬底(1)的最上层为一层第一硅氧化物(2)；所述硅衬底(1)上表面由竖直方向开设有沟槽；沟槽的侧面为倾斜状；由沟槽的开口处到沟槽底端，沟槽的横截面越来越小；沟槽的高度大于沟槽的宽度最宽处；沿沟槽最内层为一层重掺杂硅(3)；重掺杂硅(3)之外为一层第二硅氧化物(4)；第二硅氧化物(4)的上表面与沟槽开口处的第一硅氧化物(2)的内表面对齐；在第二硅氧化物(4)的上表面之上、沟槽内部，填充有多晶硅(5)。
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