[发明专利]二极管

摘要

在具有柱区、势垒区、中间区、阴极区的二极管中，对寄生晶体管导通的情况进行抑制。在俯视观察时，二极管具有单元区域、中间区域、外周区域。单元区域具有：第一阳极区，其为p型，并且与阳极电极欧姆接触；柱区，其为n型，并且与阳极电极相接；势垒区，其为n型，并且从背面侧与第一阳极区和柱区相接；第一中间区，其为p型，并且从背面侧与势垒区相接。中间区域具有：第二阳极区，其为p型，并且与阳极电极欧姆接触；空穴抑制区，其与阳极电极相接；第二中间区，其为p型，并且从背面侧与第二阳极区和空穴抑制区相接，中间区域不具有势垒区。

主权项

一种二极管，具备半导体基板、被配置在所述半导体基板的表面上的阳极电极和被配置在所述半导体基板的背面上的阴极电极，在俯视观察所述半导体基板时，所述半导体基板具备单元区域、位于所述单元区域的外侧的中间区域和位于所述中间区域的外侧的外周区域，在所述单元区域和所述中间区域内，所述阳极电极与所述半导体基板的表面相接，在所述外周区域内，所述阳极电极不与所述半导体基板的表面相接，在所述单元区域内形成有：第一阳极区，其为p型，并且与所述阳极电极欧姆接触；柱区，其为n型，并且与所述阳极电极相接，当从特定截面进行剖视观察时，与所述第一阳极区交替地露出于所述半导体基板的所述表面；势垒区，其为n型，并且从背面侧与所述第一阳极区和所述柱区相接；第一中间区，其为p型，并且从背面侧与所述势垒区相接，并通过所述势垒区而与所述第一阳极区分离，在所述中间区域内形成有：第二阳极区，其为p型，并且与所述阳极电极欧姆接触；空穴抑制区，其与所述阳极电极相接；第二中间区，其为p型，并且从背面侧与所述第二阳极区和所述空穴抑制区相接，且与所述第一中间区相接，所述势垒区未被形成在所述中间区域内，在从所述阳极电极经由所述空穴抑制区而到达所述第二中间区的路径上形成有屏障结构，在所述屏障结构中，从所述阳极电极朝向所述第二中间区的方向上的屏障与其反向上的屏障相比较高，在跨及所述单元区域、所述中间区域和所述外周区域的范围内形成有阴极区，该阴极区为n型，并且从背面侧与所述第一中间区和所述第二中间区相接，且与所述阴极电极相接。