[发明专利]可恢复的Flash数据存储方法

摘要

本发明涉及一种可恢复的Flash数据存储方法，其通过利用Flash存储器上两个独立的最小可擦除单元，进行数据的互为备份存储，每次擦写数据时，累积记录擦写次数，并进行存储；在系统上电时，对两个互为备份的存储单元进行数据有效性和累积擦写次数进行检测，当发现其中一个存储单元的数据异常时，能够采用上一次擦写成功的存储单元数据进行数据恢复，从而能够保证系统能够按照最后一次设置成功的参数进行运行；本发明操作方便，在Flash数据异常时，能够将数据恢复到前一次擦写成功并被系统正确使用的数据，保证了数据的安全性，降低了系统使用错误数据或数据缺省的风险，满足高可靠性高安全性的使用要求。

主权项

1.一种可恢复的Flash数据存储方法，其特征是，所述Flash数据存储方法包括如下步骤：步骤1、提供所需的Flash存储器，并对所述Flash存储器进行格式化，以使得所述Flash存储器内所有的存储单元均具备数据可写入状态；步骤2、任选上述Flash存储器内的两个存储单元作为相互独立的存储单元A与存储单元B，所述存储单元A的数据存储格式包括用于存储用户设置参数的设置参数存储区、用于存储累积擦写次数的擦写次数存储区以及用于存储写入状态标识的标识位存储区，存储单元B的数据存储格式与存储单元A的数据存储格式相同；步骤3、利用上述存储单元A、存储单元B存储所需的系统参数，并根据存储单元A、存储单元B写入系统参数过程，分别得到存储单元A内标识位存储区的写入状态标识以及存储单元B内标识位存储区的写入状态标识；步骤4、在上电初始化时，根据存储单元A内标识位存储区的写入状态标识以及存储单元B内标识位存储区的写入状态标识分别对存储单元A、存储单元B内存储系统参数的可用性进行判断，当存储单元A、存储单元B均判定为存储数据错误时，则输出Flash存储器故障，否则，跳转至步骤5；步骤5、根据上述对存储单元A、存储单元B内存储系统参数的判定结果，识别可用数据，并根据与识别可用数据对应的存储单元对另一存储单元进行数据恢复，以使得存储单元A、存储单元B内的存储内容完全相同；所述步骤3中，利用存储单元A、存储单元B存储系统参数的过程包括如下步骤：步骤3.1、读取存储单元A内擦写次数存储区的累积擦写次数，并对所述累积擦写次数进行累加，以更新累积擦写次数；步骤3.2、对存储单元A的设置参数存储区进行数据擦除；步骤3.3、将系统参数以及上述更新后的累积擦写次数分别存入存储单元A的设置参数存储区、擦写次数存储区内；步骤3.4、读取上述存储单元A内的系统参数以及累积擦写次数，并将所读取的系统参数、累积擦写次数分别与步骤3.3期望写入的系统参数、累积擦写次数进行比对；当比对一致时，则在存储单元A的标识位存储区写入表示写入成功的标识“0xAAAA”，否则，在存储单元A的标识位存储区写入表示写入错误的标识“0xEEEE”；步骤3.5、当且仅当存储单元A的标识位存储区存储的写入状态标识为标识“0xAAAA”时，重复利用上述步骤，以将系统参数存储在存储单元B内；所述步骤5中，当存储单元A内标识位存储区的写入状态标识为标识“0xAAAA”且存储单元B内标识位存储区的写入状态标识也为标识“0xAAAA”时，则读取并比较存储单元A内的累积擦写次数与存储单元B内的累积擦写次数，以确定较大的累积擦写次数，并在确定较大的累积擦写次数后，将与较大累积擦写次数对应存储单元确定为可用存储单元，将与可用存储单元对应的另一存储单元确定为待恢复存储单元；当存储单元A内标识位存储区或存储单元B内标识位存储区只有一个标识“0xAAAA”时，则将标识位存储区存储标识“0xAAAA”的存储单元确定为可用存储单元，将与可用存储单元对应的另一存储单元确定为待恢复存储单元；将可用存储单元内存储的系统参数识别确定为可用数据，并利用可用存储单元对待恢复存储单元进行数据恢复。