[发明专利]碱性抛光液在抑制铜钽阻挡层电偶腐蚀的应用有效
| 申请号： | 201610577468.6 | 申请日： | 2016-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN106244028B | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 王辰伟;刘玉岭;李月;潘国峰;檀柏梅 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | C09G1/18 | 分类号： | C09G1/18;C23F3/04 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 闫俊芬 |
| 地址： | 300130 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于化学机械抛光领域，具体涉及一种碱性抛光液在抑制铜钽阻挡层电偶腐蚀的应用，所述的碱性抛光液以多羟基多氨基化合物作为螯合剂以及pH调节剂；所述的多羟基多氨基化合物在所述的碱性抛光液中的质量百分比为0.1％‑2％，所述的碱性抛光液的pH值为9‑10.5；所述的多羟基多氨基化合物为羟乙基乙二胺、四羟乙基乙二胺、三乙醇胺的一种或者几种进行混合。本发明采用在碱性抛光液中添加特殊的含有羟基及氨基的化合物作为螯合剂，该螯合剂使铜在抛光液中的电位降低，并在钽表面形成一层钝化层，使钽在抛光液中的电位较小程度的降低，从而达到降低两者之间电位差的目的，同时腐蚀电流降低，腐蚀速率得到控制。 | ||
| 搜索关键词： | 碱性抛光液 氨基化合物 螯合剂 钽阻挡层 抛光液 腐蚀 电偶 电位差 四羟乙基乙二胺 氨基 电位 化学机械抛光 羟乙基乙二胺 质量百分比 电位降低 腐蚀电流 三乙醇胺 钝化层 钽表面 羟基 应用 | ||
【主权项】：
1.一种碱性抛光液在抑制铜钽阻挡层电偶腐蚀的应用，其特征在于，所述的碱性抛光液以多羟基多氨基化合物作为螯合剂以及pH调节剂；所述的多羟基多氨基化合物在所述的碱性抛光液中的质量百分比为0.1％‑2％，所述的碱性抛光液的pH值为9‑10.5；所述的碱性抛光液包括：以质量份百分比计，SiO2水溶胶40％,复合型非离子表面活性剂3％；多羟基多氨基化合物0.5％；其中，所述的复合型非离子表面活性剂为O20(C12‑18H25‑37‑C6H4‑O‑CH2CH2O)7‑H)，所述的多羟基多氨基化合物为羟乙基乙二胺。
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