[发明专利]一种氮化物发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610577588.6 | 申请日： | 2016-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN106025024B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;邓和清;钟志白;李志明;杨焕荣;苏龙兴;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物发光二极管及其制作方法，包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，V‑pits空气腔控制层，V‑pits空气腔盖层，V‑pits的空气腔，P型氮化物以及P型接触层，其多量子阱区域的V‑Pits具有可调控的空气腔层，通过在V‑pits底部沉积空气腔控制层，然后，转移及沉积V‑pits的盖层，形成V‑pits的空气腔，从而制作V‑pits的空气腔层的体积和形状可调控的氮化物发光二极管，通过改变多量子阱发出光的散射和折射路径，提升光提取效率，提升氮化物发光二极管的发光强度和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V-pits，V-pits空气腔控制层，V-pits空气腔盖层，V-pits的空气腔，P型氮化物以及 P型接触层，其特征在于：所述多量子阱区域的V-pits具有可调控的空气腔层。
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