[发明专利]一种带有自增益结构的超导纳米线单光子探测器有效
申请号: | 201610578034.8 | 申请日: | 2016-07-19 |
公开(公告)号: | CN106289515B | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 胡小龙;刘海毅;程宇豪 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G01J1/44 | 分类号: | G01J1/44 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人: | 李林娟 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种带有自增益结构的超导纳米线单光子探测器,包括作为光敏区的第一纳米线,还包括作为自增益区的第二纳米线,第一与第二纳米线并联连接;第二与第一纳米线的宽度比值为N,N的取值大于1;第一纳米线用于探测光子,第二纳米线用于储存电流,实现对脉冲信号的放大;在第一与第二纳米线的并联支路上,串联第三纳米线,宽度为第一和第二纳米线的和;第二纳米线的长度用于控制第一和第二纳米线的电感比例,通过调节第二纳米线的长度,控制第一和第二纳米线的长度比例,进而控制电感比例,使第一和第二纳米线都处于高偏置电流的状态。第三纳米线用于增加支路总电感,通过控制第三纳米线长度控制支路总电感,以此防止热闭锁效应。 | ||
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【主权项】:
一种带有自增益结构的超导纳米线单光子探测器,所述超导纳米线单光子探测器包括:作为光敏区的第一纳米线,所述超导纳米线单光子探测器还包括:作为自增益区的第二纳米线,所述第一纳米线与所述第二纳米线并联连接;所述第一纳米线用于探测光子,所述第二纳米线用于储存电流,实现对脉冲信号的放大;在所述第一纳米线与所述第二纳米线的并联支路上,串联第三纳米线,其特征在于,所述第二纳米线与所述第一纳米线的宽度比值为N,N的取值大于1;所述第三纳米线的宽度为第一纳米线和第二纳米线的宽度和;所述第二纳米线的长度用于控制第一和第二纳米线的电感比例,通过调节所述第二纳米线的长度,控制第一和第二纳米线的长度比例,进而控制电感比例,使第一和第二纳米线都处于高偏置电流的状态;所述第三纳米线用于增加支路总电感,通过控制所述第三纳米线长度控制支路总电感,以此防止热闭锁效应。
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