[发明专利]负极片及其制备方法及电池有效

专利信息
申请号: 201610578064.9 申请日: 2016-07-21
公开(公告)号: CN105977447B 公开(公告)日: 2018-08-21
发明(设计)人: 余海君;郝三存;相江峰;刁增朋 申请(专利权)人: 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司;苏州协鑫集成储能科技有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司;协鑫集成科技股份有限公司
主分类号: H01M4/133 分类号: H01M4/133;H01M4/134;H01M4/137;H01M4/1393;H01M4/1395;H01M4/1399;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/60
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 唐清凯
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及电池领域,具体公开了一种负极片,包括:集流体、硅薄膜层、位于所述集流体与所述硅薄膜层之间的缓冲层、以及第二活性材料体;在所述硅薄膜层与所述缓冲层中形成有裂缝,所述第二活性材料体覆于所述硅薄膜层上并填充所述缝隙;所述第二活性材料体中含有石墨以及聚酰亚胺。上述负极片,由于在集流体和硅薄膜层之间设置缓冲层,且第二活性材料通过裂缝渗透将集流体、缓冲层以及硅薄膜层形成一个紧密联接的整体,从而有效提高了硅薄膜层与集流体之间的附着力,避免硅薄膜层与集流体之间发生脱落的现象。另外,硅薄膜层位于缓冲层与第二活性材料体之间,有效抑制了硅的粉化问题。本发明还公开了上述负极片的制备方法及电池。
搜索关键词: 负极 及其 制备 方法 电池
【主权项】:
1.一种负极片,其特征在于,包括:集流体、硅薄膜层、位于所述集流体与所述硅薄膜层之间的缓冲层、以及活性材料体;在所述硅薄膜层与所述缓冲层中形成有裂缝,所述活性材料体覆于所述硅薄膜层上并填充所述裂缝;所述活性材料体中含有石墨以及聚酰亚胺。
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