[发明专利]一种基于轧膜工艺的PZT基反铁电材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于轧膜工艺的PZT基反铁电材料及其制备方法，所述的材料是以钙钛矿结构PZT体系为基体，将La和Sn分别部分代替Pb和Zr进入基体，化学成分符合化学通式(Pb_1‑aLa_2a/3)(Zr_1‑x‑ySn_xTi_y)O₃，其中，a的取值范围为0＜a≤0.06，x的取值范围为0＜x＜1.0，y的取值范围为0＜y＜1.0；制备方法主要步骤包括粉体和粘结剂制备、配料、混炼、粗轧、精轧和膜切，最后排胶、烧结，根据需要镀或者溅射不同电极或叠层。与现有技术相比，本发明制备的反铁电材料具有很高的击穿场强(≥200kV/cm)和储能密度(2J/cm³‑4.2J/cm³)，制备工艺简单，操作简便，成本较低，适合工业生产。

主权项

一种基于轧膜工艺的PZT基反铁电材料，其特征在于，该材料是以钙钛矿结构PZT体系为基体，化学成分符合化学通式(Pb_1‑aLa_2a/3)(Zr_1‑x‑ySn_xTi_y)O₃，其中，a的取值范围为0＜a≤0.06，x的取值范围为0＜x＜1.0，y的取值范围为0＜y＜1.0。