[发明专利]一种芯片的切割方法有效
| 申请号： | 201610578639.7 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN105957835B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 徐星德;金飚;陈孟旭 | 申请（专利权）人： | 浙江益中智能电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B28D5/00 |
| 代理公司： | 台州市方圆专利事务所(普通合伙) 33107 | 代理人： | 林米良 |
| 地址： | 317500 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种芯片的切割方法，属于功率器件处理技术领域。为了解决现有的芯片加工过程中易被静电击穿的问题，提供一种芯片的切割方法，该方法包括使划片机的切刀沿着晶圆中对应的切道进行切割处理，切割过程中使含有碳酸氢根的去离子水随切割处进行冲淋，经过若干次横向切割和纵向切割之后，使晶圆中的每一个芯片均被切割分离出来，得到相应的单一的芯片。本发明能够实现防止芯片被静电击穿的效果，使芯片的合格率能够达到100％，且能够提高切割的合格率，使保证不会出现崩边或裂痕现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 切割 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片的切割方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：使划片机的切刀沿着晶圆(1)中对应的切道(2)进行切割处理，切割过程中使含有碳酸氢根的去离子水流过切割处；所述切道的宽度为30μm～60μm，且切割过程中依次按相邻的切道(2)进行切割，经过若干次横向切割和纵向切割之后，使晶圆(1)中的每一个芯片(3)均被切割分离出来，得到相应的单一芯片(3)；所述切刀的刀刃长度为600μm～720μm；且所述切刀的刀片厚度为15μm～20μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
