[发明专利]使用锯齿状空间滤光片的高效线形成光学系统及方法在审
申请号: | 201610578685.7 | 申请日: | 2016-07-21 |
公开(公告)号: | CN106373909A | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | S·阿尼基特切夫 | 申请(专利权)人: | 超科技公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/268;G02B27/09 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及使用锯齿状空间滤光片的高效线形成光学系统及方法。所述线形成光学系统包括激光源;光束调节光学系统;第一光圈器件;及中继光学系统,该中继光学系统包括具有该锯齿状光圈的第二光圈器件。该锯齿状光圈由相对的锯齿状叶片来界定,相较于使用具有笔直边缘叶片的光圈,该锯齿状叶片被配置以减小在图像平面处所形成的线图像的强度变化。 | ||
搜索关键词: | 使用 锯齿状 空间 滤光 高效 线形 光学系统 方法 | ||
【主权项】:
一种在缺陷退火温度TD处对具有包括图案的表面的半导体晶片执行缺陷退火的方法,所述方法包含:从CO2激光器形成具有标称为10.6微米的波长λ及第一强度剖面的光束,所述第一强度剖面在至少第一方向上具有高斯分布;使所述光束在第一方向上的至少50%穿过以形成第一透射光;将所述第一透射光聚焦到傅立叶平面处以界定具有中心峰及紧邻所述中心峰的第一侧峰的第二强度剖面;由置于所述傅立叶平面处的锯齿状光圈在所述第一侧峰中的每个第一侧峰内截断所述第二强度剖面以界定第二透射光,所述第二透射光在半导体晶片的所述表面上形成第一线图像,所述第一线图像具有1000W与3000W之间的光功率以及在5mm至100mm的范围内的第一线长度上的+/‑5%内的强度均匀性;及在半导体晶片的所述表面上扫描所述第一线图像以使半导体晶片的所述表面的温度局部地升高至所述缺陷退火温度TD。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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