[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置，提高半导体装置的性能。半导体装置具有：凸片(FA)，作为半导体基板(1)的一部分并且从半导体基板(1)的主面(1a)突出，在第1方向上具有宽度并且在第2方向上延伸；控制栅极电极(CG)，隔着栅极绝缘膜(GIt)地配置于凸片(FA)上，在第1方向上延伸；以及存储器栅极电极(MG)，隔着栅极绝缘膜(GIm)地配置于凸片(FA)上，在第1方向上延伸。并且，膜厚比栅极绝缘膜(GIt)厚的栅极绝缘膜(GIm)所介于的配置有存储器栅极电极(MG)的区域的凸片(FA)的宽度(WM1)比栅极绝缘膜(GIt)所介于的配置有控制栅极电极(CG)的区域的凸片(FA)的宽度(WC1)窄。

主权项

一种半导体装置，具有：半导体基板，具有主面；突出部，作为所述半导体基板的一部分并且从所述主面突出，在所述主面的第1方向上具有宽度，在与所述第1方向正交的第2方向上延伸；第1栅极电极，隔着第1绝缘膜地配置于所述突出部上，在所述第1方向上延伸；第2栅极电极，隔着第2绝缘膜地配置于所述突出部上，在所述第1方向上延伸；第3绝缘膜，位于所述第1栅极电极与所述第2栅极电极之间；以及第1半导体区域和第2半导体区域，以夹着所述第1栅极电极和所述第2栅极电极的方式，形成于所述突出部内，所述第2绝缘膜的膜厚比所述第1绝缘膜的膜厚厚，所述第2栅极电极重叠的区域中的所述突出部的第1宽度比所述第1栅极电极重叠的区域中的所述突出部的第2宽度窄。