[发明专利]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201610578971.3 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN107644898B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈智圣;林昭毅 | 申请（专利权）人： | 立积电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海市锦天城律师事务所 31273 | 代理人： | 刘民选 |
| 地址： | 中国台湾台北市内湖区*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构，包含一第一井区；一半导体组件，形成或接触于该第一井区；一第二井区，该第一井区是形成于该第二井区；及一第一隔离层，用以降低该第一井区及该第二井区间的寄生效应。该第一隔离层的底部的深度是至少深达该第一井区的底部的深度。该第一隔离层是实质上沿着该第一井区的侧部边界形成一环状结构，其中该第二井区的参杂类型是相异于该第一井区的参杂类型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包含：一第一井区；一半导体组件，形成或接触于该第一井区；一第二井区，其中该第一井区是形成于该第二井区之上；及一第一隔离层，用以降低该第一井区及该第二井区间的寄生效应，该第一隔离层的底部的深度是至少深达该第一井区的底部的深度，且该第一隔离层是实质上沿着该第一井区的侧部边界形成一第一环状结构；其中该第二井区的参杂类型系相异于该第一井区的参杂类型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于立积电子股份有限公司，未经立积电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610578971.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种市政用道路维修警示标志牌
- 下一篇：基于物联网的共享车位服务系统与方法
- 同类专利
- 专利分类
