[发明专利]等离子体刻蚀装置及其边缘环组件与静电夹盘有效
| 申请号： | 201610579402.0 | 申请日： | 2016-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107644802B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 王红超;严利均;刘身健 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/20 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供等离子体刻蚀装置及其边缘环组件与静电夹盘，用以改善刻蚀速度不均匀的缺陷。其中，所述边缘环组件包括：插入环，具有内侧部分与外侧部分，所述内侧部分位于基片边缘的下方，所述外侧部分向外超出了基片边缘的覆盖范围；聚焦环，覆盖插入环的所述外侧部分；其中，CFocus、CInsert两者之和与CESC的比值在0.9到1.1之间，CFocus为所述聚焦环的电容值，CInsert为所述插入环的电容值，CESC为所述静电夹盘的电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 装置 及其 边缘 组件 静电 | ||
【主权项】：
1.用于等离子体刻蚀装置的边缘环组件，在所述等离子体刻蚀装置中，待处理的基片由一静电夹盘来固定，所述边缘环组件包括：插入环，具有内侧部分与外侧部分，所述内侧部分位于基片边缘的下方，所述外侧部分向外超出了基片边缘的覆盖范围；聚焦环，覆盖插入环的所述外侧部分；其中，CFocus、CInsert两者之和与CESC的比值在0.9到1.1之间，CFocus为所述聚焦环的电容值，CInsert为所述插入环的电容值，CESC为所述静电夹盘的电容值。
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