[发明专利]一种泄放电路、泄放芯片和核磁共振测井仪

摘要

本发明公开了一种泄放电路、芯片和核磁共振测井仪，包括：隔离变压器次级第一输出绕组第二输出端与JFET管漏极相连并通过第一电容与第一和第二MOSFET管源极相连。第二输出绕组第一输出端与第一输出绕组第二输出端相连。第二输出绕组第二输出端与JFET管栅极、第三MOSFET管源极相连，通过第二电容与JFET管漏极相连。第三输出绕组第一输出端与第三MOSFET管源极、JFET管栅极相连。第三输出绕组第二输出端与第三MOSFET管栅极相连。第三MOSFET管漏极与JFET管漏极相连；第一MOSFET管漏极与天线相连。本发明方案能够有效抑制高温环境下仪器探头振铃和死区时间，保证较高的仪器分辨率和信噪比。

主权项

1.一种泄放电路，其特征在于，所述电路包括：隔离变压器、第一金属‑氧化物半导体场效应晶体管MOSFET管、第二MOSFET管、第三MOSFET管、结晶型场效应晶体管JFET管、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管和第三二极管；其中，所述隔离变压器包括第一变压器和第二变压器；所述第一变压器包括第一输入绕组、第一输出绕组和第二输出绕组；所述第二变压器包括第二输入绕组和第三输出绕组；所述第一输入绕组和所述第二输入绕组均与输入电源和泄放控制信号输出端相连；所述第一输出绕组的第一输出端与所述第一二极管的正极相连，所述第一二极管的负极与所述第一MOSFET管和第二MOSFET管的栅极相连；所述第一输出绕组的第二输出端与所述JFET管的漏极以及所述第一MOSFET管和第二MOSFET管的源极相连，并通过所述第一电容与所述第一MOSFET管和第二MOSFET管的栅极相连；所述第二输出绕组的第一输出端与所述第一输出绕组的第二输出端相连；所述第二输出绕组的第二输出端与所述第二二极管的负极相连，所述第二二极管的正极与所述JFET管的栅极相连；并与所述第三MOSFET管的源极相连，所述第二二极管的正极通过所述第二电容与所述JFET管的漏极相连；所述第三输出绕组的第一输出端与第三MOSFET管的源极相连，并与所述JFET管的栅极相连；所述第三输出绕组的第二输出端与所述第三二极管的正极相连，所述第三二极管的负极与所述第三MOSFET管的栅极相连；所述第三MOSFET管的漏极与所述JFET管的漏极相连；所述第一MOSFET管的漏极与天线相连；所述第二MOSFET管的漏极接地。