[发明专利]一种使用纳米材料制备的高效太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610580731.7 申请日: 2016-07-22
公开(公告)号: CN106158999B 公开(公告)日: 2018-04-17
发明(设计)人: 兰宏昌;杨小旭;徐娟 申请(专利权)人: 杨小旭
主分类号: H01L31/0288 分类号: H01L31/0288;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18;B82Y30/00
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 代理人: 王锋
地址: 215000 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种使用纳米材料制备的高效太阳能电池,包括n型硅片基底,所述n型硅片基底设有正面和背面,所述正面印刷有含Ⅲ族元素掺杂源纳米材料的正面栅线,所述背面印刷有含Ⅴ族元素掺杂源纳米材料的背面栅线,所述正面栅线和背面栅线经激光开槽分别形成正面凹槽和背面凹槽,所述正面凹槽内的Ⅲ族元素掺杂源纳米材料与n型硅片基底融合,所述背面凹槽内的Ⅴ族元素掺杂源纳米材料与n型硅片基底融合,所述正面凹槽和背面凹槽在完成掺杂后喷印纳米银复合材料。本发明通过激光将Ⅲ族元素掺杂源纳米材料和Ⅴ族元素掺杂源纳米材料分别重掺杂进入n型硅片基底的正面和背面,提升了电池的输出功率,减少使用银材料,减少遮光面积,减少对电池的损害。
搜索关键词: 一种 使用 纳米 材料 制备 高效 太阳能电池 及其 方法
【主权项】:
一种使用纳米材料制备的高效太阳能电池,包括n型硅片基底,所述n型硅片基底设有正面和背面,其特征在于:所述正面和背面经激光开槽分别形成正面凹槽和背面凹槽,所述正面凹槽内设有Ⅲ族元素掺杂源纳米材料,所述背面凹槽内设有Ⅴ族元素掺杂源纳米材料;所述正面从上往下依次设有第一减反射膜层、钝化膜层和发射极层,所述第一减反射膜层的上方印刷有含硼硅纳米复合材料的正面栅线;所述背面设有第二减反射膜层,所述第二减反射膜层的上方印刷有含磷硅纳米复合材料的背面栅线;所述正面栅线和背面栅线经激光开槽分别形成正面凹槽区域和背面凹槽区域;所述正面凹槽区域穿过第一减反射膜层、钝化膜层和发射极层并进入到n型硅片基底;所述背面凹槽区域穿过第二减反射膜层并进入到n型硅片基底。
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