[发明专利]一种使用纳米材料制备的高效太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201610580731.7 | 申请日: | 2016-07-22 |
公开(公告)号: | CN106158999B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 兰宏昌;杨小旭;徐娟 | 申请(专利权)人: | 杨小旭 |
主分类号: | H01L31/0288 | 分类号: | H01L31/0288;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18;B82Y30/00 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种使用纳米材料制备的高效太阳能电池,包括n型硅片基底,所述n型硅片基底设有正面和背面,所述正面印刷有含Ⅲ族元素掺杂源纳米材料的正面栅线,所述背面印刷有含Ⅴ族元素掺杂源纳米材料的背面栅线,所述正面栅线和背面栅线经激光开槽分别形成正面凹槽和背面凹槽,所述正面凹槽内的Ⅲ族元素掺杂源纳米材料与n型硅片基底融合,所述背面凹槽内的Ⅴ族元素掺杂源纳米材料与n型硅片基底融合,所述正面凹槽和背面凹槽在完成掺杂后喷印纳米银复合材料。本发明通过激光将Ⅲ族元素掺杂源纳米材料和Ⅴ族元素掺杂源纳米材料分别重掺杂进入n型硅片基底的正面和背面,提升了电池的输出功率,减少使用银材料,减少遮光面积,减少对电池的损害。 | ||
搜索关键词: | 一种 使用 纳米 材料 制备 高效 太阳能电池 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种使用纳米材料制备的高效太阳能电池,包括n型硅片基底,所述n型硅片基底设有正面和背面,其特征在于:所述正面和背面经激光开槽分别形成正面凹槽和背面凹槽,所述正面凹槽内设有Ⅲ族元素掺杂源纳米材料,所述背面凹槽内设有Ⅴ族元素掺杂源纳米材料;所述正面从上往下依次设有第一减反射膜层、钝化膜层和发射极层,所述第一减反射膜层的上方印刷有含硼硅纳米复合材料的正面栅线;所述背面设有第二减反射膜层,所述第二减反射膜层的上方印刷有含磷硅纳米复合材料的背面栅线;所述正面栅线和背面栅线经激光开槽分别形成正面凹槽区域和背面凹槽区域;所述正面凹槽区域穿过第一减反射膜层、钝化膜层和发射极层并进入到n型硅片基底;所述背面凹槽区域穿过第二减反射膜层并进入到n型硅片基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的