[发明专利]可提高光效的LED外延片及其生长方法

摘要

本发明提供一种可提高光效的LED外延片生长方法，包括生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长N型GaN层、生长多周期量子阱发光层、生长GaN:Mg层组、生长P型GaN接触层等步骤；GaN:Mg层组包括1‑80个GaN:Mg单层，GaN:Mg单层包括低温条件下生长的第一GaN:Mg层和高温条件下生长的第二GaN:Mg层。本发明还提供一种采用上述方法获得的可提高光效的LED外延片。本发明将传统的P型GaN层设计为高低温交替生长的GaN:Mg层组，通过低温生长，提高Mg浓度，提供较多空穴，又通过高温生长，提高材料的结晶质量，提高空穴迁移率，降低LED芯片的工作电压，提高LED芯片的发光效率。

主权项

一种可提高光效的LED外延片生长方法，其特征在于，依次包括蓝宝石衬底(1)退火处理、生长低温GaN成核层(2)、生长高温GaN缓冲层(3)、生长非掺杂的U型GaN层(4)、生长N型GaN层(5)、生长多周期量子阱发光层(6)、生长P型AlGaN层(7)、生长GaN:Mg层组(8’)、生长P型GaN接触层(9)以及降温退火处理；所述GaN:Mg层组(8’)的厚度为50‑800nm，其包括周期性生长的1‑80个GaN:Mg单层(8.1’)；所述GaN:Mg单层(8.1’)包括第一GaN:Mg层和第二GaN:Mg层，所述GaN:Mg单层(8.1’)的生长过程具体是：控制温度为750℃‑850℃，通入TMGa和Cp₂Mg，生长厚度为5‑50nm的第一GaN:Mg层；升温至850℃‑1000℃，生长厚度为5‑50nm的第二GaN:Mg层。