[发明专利]低温、电阻突变率低的PTC过流保护片及其制备方法在审
| 申请号： | 201610580899.8 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106188757A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 茅震;王金东 | 申请（专利权）人： | 江阴市东润电子有限公司 |
| 主分类号： | C08L23/06 | 分类号： | C08L23/06;C08L23/08;C08K13/02;C08K3/04;C08K3/22;C08K5/57;H01C7/02;H01C7/13 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人： | 孙燕波 |
| 地址： | 214443 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低温、电阻突变率低的PTC过流保护片，由如下质量份的原料制备而成：高密度聚乙烯 25‑30份，低密度聚乙烯 18‑20份，EVA 5‑8份，导电炭黑 20‑46份，氧化锑 2‑6份，二丁基氧化锡 4‑6份，氧化亚锡、银氧化锡、三氧化二锡一种以上 2‑4份，铝锆偶联剂 5‑8份，改质剂 0.5‑4份，抗氧化剂 2‑6份；聚乙烯与导电炭黑的质量比为1～1.5。PTC过流保护片膨胀断开的临界温度达到了80～90℃，且温度区间窄，热敏感性高。正常状态下过流保护片的阻值为20～40毫欧姆，阻值突变率低。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 电阻 突变 ptc 保护 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温、电阻突变率低的PTC过流保护片，其特征在于：由如下质量份的原料制备而成：主料：高密度聚乙烯 25‑30份，低密度聚乙烯 18‑20份，EVA 5‑8份，导电炭黑 20‑46份，氧化锑 2‑6份，二丁基氧化锡 4‑6份，氧化亚锡、银氧化锡、三氧化二锡中的一种或一种以上 2‑4份，辅料：铝锆偶联剂 5‑8份，改质剂 0.5‑4份，抗氧化剂 2‑6份；聚乙烯与导电炭黑的质量比为1～1.5,所述高密度聚乙烯的熔点为120～130℃，所述低密度聚乙烯的熔点为110～120℃，所述EVA的熔点为95～100℃，导电炭黑的湿度介于0.25‑0.3%，空隙率介于38.5‑39.4%，COAN压缩样吸油值介于81.9‑83.6mL/100g,OAN吸油值介于119.9‑124.0 mL/100g,I2NO值介于41.4‑44.7%。
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