[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

摘要

本发明的实施方式提供一种能够削减制造成本的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备第一串单元(SU0)、第二串单元(SU1)、多个第一配线层(WL)、第二配线层(SGD0)、第三配线层(SGD1)、第一柱(MP)、第二柱(DP)、及第一线路(DSL)。第一柱(MP)、第二柱(DP)、及第一线路(DSL)的各者包含半导体层(16)、以及依序设置在半导体层(16)的侧面的第一绝缘膜(15)、电荷蓄积层(14)、及第二绝缘膜(13)。

主权项

一种半导体存储装置，其特征在于具备：第一串单元，具备第一存储串，该第一存储串包含积层在半导体基板的上方的多个第一存储元件晶体管、及设置在该多个第一存储元件晶体管的上方的第一选择晶体管；第二串单元，具备第二存储串，该第二存储串包含积层在所述半导体基板的上方的多个第二存储元件晶体管、及设置在该多个第二存储元件晶体管的上方的第二选择晶体管；多个第一配线层，以共通连接于位于相同层的第一及第二存储元件晶体管的栅极的方式，连接于所述多个第一存储元件晶体管及所述多个第二存储元件晶体管；第二配线层，连接于所述第一选择晶体管的栅极；第三配线层，连接于所述第二选择晶体管的栅极，且与所述第二配线层位于相同层；第一柱，贯通所述多个第一配线层与所述第二及第三配线层的一者而与所述半导体基板相接；第二柱，不贯通所述第二及第三配线层，而贯通所述多个第一配线层的至少一者；以及第一线路，将所述第二配线层与所述第三配线层分离；且所述第一柱、所述第二柱、及所述第一线路的各者包含半导体层、及依序设置在所述半导体层的侧面的第一绝缘膜、电荷蓄积层、及第二绝缘膜。